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06 · CoWoS

互动评论(10 条)
1
- CoWoS里中介层主要解决逻辑裸片和HBM之间的什么问题?
2
- 为什么HBM要靠近逻辑裸片,而不是通过更长路径连接?
3
- TSV在HBM堆叠里承担的是信号连接、供电还是两者都有?
4
- 微凸点间距变小会给良率和可靠性带来哪些挑战?
5
- 封装基板在供电完整性里扮演什么角色?
6
- 底填胶为什么会影响热应力和焊点寿命?
7
- 散热盖的材料和厚度会怎样影响热路径?
8
- 2.5D封装相比传统封装的主要成本压力在哪里?
9
- 测试环节为什么要覆盖裸片、中介层和最终封装?
10
- 当HBM数量增加时,瓶颈更可能出现在带宽、散热还是封装面积?
原始素材预览
发布标题
TITLE
CoWoS为什么像立交桥
发布正文(6 个版本 · 点击展开)
知乎/B站 CoWoS可以理解为面向高带宽计算的2.5D集成结构:逻辑裸片与HBM通过中介层和微凸点形成短距离互连,再由封装基板完成...
CoWoS可以理解为面向高带宽计算的2.5D集成结构:逻辑裸片与HBM通过中介层和微凸点形成短距离互连,再由封装基板完成更大尺度的信号与供电扇出。散热盖、底填胶、C4凸点和测试路径不是附属细节,而是共同影响良率、可靠性和量产成本的关键层。

文本风险提示:未包含政治、成人、血腥暴力、赌博、毒品、仇恨极端或违法活动内容;“爆炸图”仅指工程拆解视觉表达。

结构核对参考:[CoWoS 概览](https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/cowos)、[CoWoS 技术页](https://3dfabric.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/cowos.htm)、[SK hynix](https://www.skhynix.com/)、[Samsung HBM](https://semiconductor.samsung.com/dram/hbm/)。
SOURCE step1_prompts.md 原文

发布文案

标题候选
1. CoWoS为什么像立交桥(推荐)
2. AI芯片背后的底座
3. HBM为何贴得这么近
4. 一块封装里的分工
5. 算力封装的隐藏层
6. 从裸片到系统级封装
7. 高带宽从哪里来
8. 中介层在做什么
9. 逻辑与内存的近距离
10. 封装基板撑起什么
11. 微凸点为何关键
12. 散热盖背后的取舍
13. CoWoS的结构路径
14. AI加速器如何拼装
15. 先进封装不只是外壳
16. HBM堆叠如何接入
17. TSV把内存接起来
18. C4焊点承受什么
19. 底部焊球的角色
20. 测试为何很早开始
21. 中介层的桥接逻辑
22. CoWoS的九层拆解
23. 算力模组的近场连接
24. 带宽不是凭空出现
25. 2.5D封装看哪几层
26. 从热到信号的平衡
27. 芯片旁边为何放内存
28. 封装里藏着高速路
29. 短距离互连的价值
30. 一张图看懂CoWoS

互动提问
- CoWoS里中介层主要解决逻辑裸片和HBM之间的什么问题?
- 为什么HBM要靠近逻辑裸片,而不是通过更长路径连接?
- TSV在HBM堆叠里承担的是信号连接、供电还是两者都有?
- 微凸点间距变小会给良率和可靠性带来哪些挑战?
- 封装基板在供电完整性里扮演什么角色?
- 底填胶为什么会影响热应力和焊点寿命?
- 散热盖的材料和厚度会怎样影响热路径?
- 2.5D封装相比传统封装的主要成本压力在哪里?
- 测试环节为什么要覆盖裸片、中介层和最终封装?
- 当HBM数量增加时,瓶颈更可能出现在带宽、散热还是封装面积?

作者
通过这张图可以看到,CoWoS不是简单把芯片拼在一起,而是把逻辑裸片、HBM、中介层、微凸点、基板、散热和测试路径放进同一个高密度结构里。阅读顺序建议从完整封装体开始,再看右侧高速互连,最后看左侧供电、焊接和可靠性路径。

声明:信息整理自网络公开内容,仅供学习交流;如有疏漏或错误,请联系指正。

小红书
CoWoS这类2.5D封装,核心看三件事:逻辑裸片和HBM怎么贴近,中介层怎么桥接信号,基板和散热怎么承受功耗。图里按九层拆开,适合先建立结构直觉,再去理解带宽、良率和热设计的取舍。

声明:信息整理自网络公开内容,仅供学习交流;如有疏漏或错误,请联系指正。

朋友圈/社群
整理了一版CoWoS概念爆炸图提示词。它的关键不是某一个单点器件,而是逻辑、HBM、中介层、封装基板、散热与测试共同形成的系统约束。看懂这些层,很多AI加速器的封装讨论会清楚很多。

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知乎/B站动态
CoWoS可以理解为面向高带宽计算的2.5D集成结构:逻辑裸片与HBM通过中介层和微凸点形成短距离互连,再由封装基板完成更大尺度的信号与供电扇出。散热盖、底填胶、C4凸点和测试路径不是附属细节,而是共同影响良率、可靠性和量产成本的关键层。

声明:信息整理自网络公开内容,仅供学习交流;如有疏漏或错误,请联系指正。

文本风险提示:未包含政治、成人、血腥暴力、赌博、毒品、仇恨极端或违法活动内容;“爆炸图”仅指工程拆解视觉表达。

结构核对参考:[CoWoS 概览](https://www.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/cowos)、[CoWoS 技术页](https://3dfabric.tsmc.com/english/dedicatedFoundry/technology/cowos.htm)、[SK hynix](https://www.skhynix.com/)、[Samsung HBM](https://semiconductor.samsung.com/dram/hbm/)。

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